SUB60N06-18-E3 datasheet
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>> SUB60N06-18-E3 MOSFET 60V 60A 120W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SUB60N06-18-E3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 60V 60A 120W
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 60V 60A 120W
SUB60N06-18-E3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
60 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
18 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SUB60N06-18-E3
SUB65P04-15
SUB65P04-15-E3
SUB65P06-20
SUB65P06-20-E3
SUB70N03-09B
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公司名
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010-62104931
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
北京元坤伟业科技有限公司
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刘先生
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
13163738578
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